شبیه سازی و مدلسازی بیو سنسور ترانزیستوری

شبیه سازی و مدلسازی بیو سنسور ترانزیستوری با اثرات میدان نانوسیم ساخته شده از اکسید روی

خلاصه

مدل ریاضی سه بعدی برای بیو سنسور ترانزیستوری با اثرات میدان نانو سیم ساخته شده از جنس اکسید روی (ZnO NW-FET) برای اتصال streptavidin/biotin ارائه  می دهیم. قبلاً پیاده سازی به صورت فیزیکی به روش نشست بخار (PVD) باعث ساخت نانو سیم ZnO NWs با قطر 120-50 نانو متر و طول 7.1-2 میکرون  انجام شده است.  مدل ما با این ابعاد و با کمک مدل مولکول کروی با توزیع بار یکنواخت  که در یک حلال با یبک یون تک ظرفیتی شناور شناور است مطابق شکل 1، توسعه داده شده است. با اعمال معادله بولتزمن-پواسن برای مرز و شرایط پیوستگی، عباراتی برای  توزیع پتانسیل الکترواستاتیک به دست آورده می شود. این توزیع برای به دست آوردن ولتاژ ورودی و توسعه منحنی I-V  برای ZnO NW-FET هنگامی که به عنوان بیوسنسور استفاده می شود ، به کار می رود.  در ناحیه اشباع منحنس های I-V  تغییرات کوچکی در ولتاژ ورودی که منجر به تغییرات بزرگتر نمایی  در جریان درین ( drain) می شود را نشان می دهد. این مسئله باعث تشخیص بیو مولکول منفرد می شود./

  نمایش فوری میکروسکوپ اسکن الکترونی از سنتز نانوسیم های اکسید روی به روشPVD 

فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

معادله پواسن- بولتزمن

اکسید روی

ترانزیستور با میدان اثر نانو سیم

نتایج

خلاصه

منابع

 

لینک خرید و دانلود

کلمات کلیدی

شبیه سازی و مدلسازی بیو سنسور ترانزیستوری,مدلسازی بیو سنسور ترانزیستوریاثرات میدان نانوسیم ساخته شده از اکسید روی,مدل سازی بیو سنسور ترانزیستور,یشبیه سازی بیو سنسور ترانزیستوری,نانو سیم اکسید روی,مدل ریاضی سه بعدی برای بیو سنسور ترانزیستوری,بیو سنسور ترانزیستوری با اثرات میدان نانو سیم,بیو سنسور ترانزیستوری